據證券時報報道,北京市副市長、秘書長靳偉20日表示,在補足短板方面,著力攻克重要領域關鍵的核心技術。
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一是推動集成電路產研一體突破。二是開展關鍵新材料的技術攻關,加速第三代半導體等領域技術和產品的研發過程。三是聚焦通用型的關鍵零部件,研發突破部分儀器的關鍵零部件。四是推動高端儀器設備研發實現突破,支持形成一批服務于重大的科技基礎設施的定制化的科學儀器和設備。
第三代半導體是北京市發展高精尖產業的重要內容之一,2020年9月,國內首個聚集全產業鏈的三代半創新基地落地中關村順義園,圍繞光電子、電力電子、微波射頻三大應用領域,建設第三代半導體工藝、封裝測試、可靠性檢測和科技服務4大基礎平臺。
值得注意的是,截至日前中關村順義園已聚集第三代半導體企業140余家,初步形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應用的全產業鏈格局。
其中,面向5G通訊、新能源汽車、國家電網、軌道交通、人工智能等應用領域的產業化重點項目20個,總投資約160億元,預計達產后實現年產值220億元。
第三代半導體產業發展水平是一個國家現代經濟與高科技力量的重要象征,也是當前世界各國科技競爭的焦點,北京對于第三代半導體產業的重視和支持,將會使得產業鏈上下游獲益。(來源:化合物半導體市場)
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